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开尔文测控-IGBT测试仪
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开尔文测控-IGBT测试仪

适用于传统硅基及SiC基二极管、三极管、MOSFET、J-FET、IGBT单管及模块、整流桥、可控硅、光耦、PIM及IPM模块等十九大类半导体分立器件全静态参数测试。

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    陕西 西安 长安区 新型工业园发展大道26号7号楼1层
品牌:开尔文测控型号:KEW3500

开尔文测控-IGBT测试仪详细介绍

系统主要技术参数列表如下:

主极电压          2000V(加选件可扩展至3300V)

主极电流          50A(加选件可扩展到100A至2500A)

控制极电压        20V(加选件可扩展到80V)

控制极电流        10A(加选件可扩展到40A)

电压分辨率        1mV

电流分辨率        100pA(加选件可扩展到1pA)

测试速度          5ms/参数

3300V、2500A以上可订制



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